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BFR182WH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFR182WH6327XTSA1
주문 코드2480679
AKABFR 182W H6327, SP000750420
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation250mW
Continuous Collector Current35mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BFR 182W H6327 is a NPN low-noise Silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 to 20mA. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Wireless, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
35mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
250mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000048