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BSC010NE2LSIATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC010NE2LSIATMA1
주문 코드2443417RL
AKABSC010NE2LSI, SP000854376
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance900µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
- Save space with smallest packages like CanPAK™
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
BSC010NE2LSIATMA1의 대체 제품
8개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003