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BSC030P03NS3GAUMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC030P03NS3GAUMA1
주문 코드2443466
AKABSC030P03NS3 G, SP000442470
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
애플리케이션
Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
BSC030P03NS3GAUMA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003