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BSC082N10LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 8200 µohm, TDSON, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC082N10LSGATMA1
주문 코드2480741RL
Product RangeOptiMOS 2 Series
AKABSC082N10LS G, SP000379609
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC082N10LSGATMA1
주문 코드2480741RL
Product RangeOptiMOS 2 Series
AKABSC082N10LS G, SP000379609
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance8200µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
BSC082N10LSGATMA1의 대체 제품
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제품 개요
The BSC082N10LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005