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BSC0921NDIATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC0921NDIATMA1
주문 코드2726088
Product RangeOptiMOS Series
AKABSC0921NDI, SP000934748
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSC0921NDIATMA1
주문 코드2726088
Product RangeOptiMOS Series
AKABSC0921NDI, SP000934748
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0039ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0039ohm
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET
- Optimized for high performance buck converter
- Logic level (4.5V rated)
- N-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0039ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0039ohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005