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BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BSM25GD120DN2BOSA1
주문 코드1496948
AKABSM25GD120DN2, SP000100370
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation200W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleEconoPACK
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The BSM25GD120DN2 is an IGBT Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
- 3-phase Full bridge
- 130ns Rise time
- 100ns Fall time
- ±20V Gate-emitter voltage
애플리케이션
Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
35A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
EconoPACK
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.18