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FF200R06KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 260 A, 1.45 V, 680 W, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF200R06KE3HOSA1
주문 코드2839509
AKAFF200R06KE3, SP000085283
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current260A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
기술 사양
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
260A
Power Dissipation
680W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.345184