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FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 0.006 ohm, Module
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
주문 코드4802734
Product RangeEasyDUAL Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyDUAL Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
190A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyDUAL Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001