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GS66502BMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호GS66502BMRXUSA1
주문 코드4715915
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Typical Gate Charge1.6nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
7.5A
Typical Gate Charge
1.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001