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IDD04SG60CXTMA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IDD04SG60CXTMA2
주문 코드2895616RL
Product RangethinQ Gen III Series
AKAIDD04SG60C, SP001633156
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IDD04SG60CXTMA2
주문 코드2895616RL
Product RangethinQ Gen III Series
AKAIDD04SG60C, SP001633156
기술 데이터 시트
Product RangethinQ Gen III Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge4.5nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
기술 사양
Product Range
thinQ Gen III Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Total Capacitive Charge
4.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907