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IGB070S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 38 A, 7000 µohm, 6.1 nC, TSON, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6.1nC
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001