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IGLT65R025D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IGLT65R025D2AUMA1
주문 코드4573850RL
AKAIGLT65R025D2, SP005934582
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id67A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
67A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001