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IMBG120R034M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R034M2HXTMA1
주문 코드4575641RL
AKAIMBG120R034M2H, SP006016740
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.034ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001