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IMBG120R078M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R078M2HXTMA1
주문 코드4376965
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R078M2H, SP005825855
기술 데이터 시트
포장 옵션
주문 가능
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,562 |
| 10+ | ₩7,257 |
| 100+ | ₩5,527 |
| 500+ | ₩5,499 |
| 1000+ | ₩4,884 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩10,562
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG120R078M2HXTMA1
주문 코드4376965
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMBG120R078M2H, SP005825855
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0781ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation158W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.0781ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
158W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001