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IMBG65R007M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R007M2HXTMA1
주문 코드4378732RL
Product RangeCoolSiC G2 Series
AKAIMBG65R007M2H, SP005912570
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R007M2HXTMA1
주문 코드4378732RL
Product RangeCoolSiC G2 Series
AKAIMBG65R007M2H, SP005912570
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id238A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
IMBG65R007M2HXTMA1 is a CoolSiC MOSFET in a 7 pin TO-263 package. Built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, the 650V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfil the ever-growing system and market needs. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage and battery formation, UPS, EV charging infrastructure and motor drives.
- Ultra-low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn-on even with 0V turn-off gate voltage
- Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
- Robust body diode operation under hard commutation events
- Enables high efficiency and high power density designs
- Facilitates great ease of use and integration
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
238A
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
789W
Product Range
CoolSiC G2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001