페이지 인쇄
IMBG65R033M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMBG65R033M2HXTMA1
주문 코드4640388RL
AKAIMBG65R033M2H, SP006051145
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
227W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001