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IMCQ120R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMCQ120R026M2HXTMA1
주문 코드4695754
Product RangeCoolSiC Series
AKAIMCQ120R026M2H, SP005927117
기술 데이터 시트
548 재고
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩18,528 |
| 5+ | ₩15,663 |
| 10+ | ₩13,270 |
| 50+ | ₩12,491 |
| 100+ | ₩11,849 |
| 250+ | ₩11,771 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 1
₩18,528
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMCQ120R026M2HXTMA1
주문 코드4695754
Product RangeCoolSiC Series
AKAIMCQ120R026M2H, SP005927117
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0254ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation405W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
82A
Drain Source On State Resistance
0.0254ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
405W
Product Range
CoolSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001