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IMDQ65R010M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMDQ65R010M2HXUMA1
주문 코드4667118RL
AKAIMDQ65R010M2H, SP006051117
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id154A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.091ohm
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation651W
Operating Temperature Max175°C
기술 사양
Continuous Drain Current Id
154A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
651W
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001