페이지 인쇄
IMT65R026M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R026M2HXUMA1
주문 코드4677111RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R026M2H, SP006051124
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R026M2HXUMA1
주문 코드4677111RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R026M2H, SP006051124
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation365W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
81A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
365W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001