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IMT65R050M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R050M2HXUMA1
주문 코드4677114
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R050M2H, SP006051127
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩8,801 |
| 10+ | ₩7,521 |
| 100+ | ₩6,471 |
| 500+ | ₩6,091 |
| 1000+ | ₩5,740 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩8,801
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R050M2HXUMA1
주문 코드4677114
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMT65R050M2H, SP006051127
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id48.1A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation237W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
48.1A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
237W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001