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IMT65R083M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R083M1HXUMA1
주문 코드4228387RL
Product RangeCoolSiC Trench Series
AKAIMT65R083M1H, SP005716851
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMT65R083M1HXUMA1
주문 코드4228387RL
Product RangeCoolSiC Trench Series
AKAIMT65R083M1H, SP005716851
기술 데이터 시트
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation158W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
32A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
158W
Product Range
CoolSiC Trench Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001