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IMW120R007M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMW120R007M1HXKSA1
주문 코드3958239
Product RangeCoolSiC Trench Series
AKASP005425447, IMW120R007M1H
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩69,701 |
| 5+ | ₩65,275 |
| 10+ | ₩60,848 |
| 50+ | ₩56,421 |
| 100+ | ₩51,994 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMW120R007M1HXKSA1
주문 코드3958239
Product RangeCoolSiC Trench Series
AKASP005425447, IMW120R007M1H
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.007ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation750W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
225A
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
750W
Product Range
CoolSiC Trench Series
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004