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IMYH200R075M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMYH200R075M1HXKSA1
주문 코드4335361
Product RangeCoolSiC Series
AKASP005427374, IMYH200R075M1H
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩29,289 |
| 5+ | ₩27,354 |
| 10+ | ₩25,419 |
| 50+ | ₩23,483 |
| 100+ | ₩21,548 |
| 250+ | ₩19,612 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMYH200R075M1HXKSA1
주문 코드4335361
Product RangeCoolSiC Series
AKASP005427374, IMYH200R075M1H
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleTO-247 Plus
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation267W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
TO-247 Plus
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
267W
Product Range
CoolSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000002