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IMZC120R078M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMZC120R078M2HXKSA1
주문 코드4574257
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMZC120R078M2H, SP006031773
기술 데이터 시트
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 28주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,140 |
| 10+ | ₩8,623 |
| 100+ | ₩6,319 |
| 500+ | ₩6,057 |
| 1000+ | ₩5,794 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩10,140
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IMZC120R078M2HXKSA1
주문 코드4574257
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
AKAIMZC120R078M2H, SP006031773
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation143W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
143W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001