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IPB065N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB065N15N3GATMA1
주문 코드2443380RL
AKAIPB065N15N3 G, SP000521724
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IPB065N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
IPB065N15N3GATMA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00181