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IPB50R140CPATMA1
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB50R140CPATMA1
주문 코드2443387
AKAIPB50R140CP, SP000212746
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IPB50R140CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability. The CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
- Lowest figure of merit Ron x Qg
- Extreme dV/dt rate
- Ultra low RDS (ON), very fast switching
- Very low internal Rg
- High peak current capability
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00181