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IPB80P03P4L04ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB80P03P4L04ATMA1
주문 코드2781074RL
Product RangeOptiMOS P2
AKAIPB80P03P4L-04, SP000396284
기술 데이터 시트
973 재고
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|---|---|
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| 500+ | ₩2,067 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB80P03P4L04ATMA1
주문 코드2781074RL
Product RangeOptiMOS P2
AKAIPB80P03P4L-04, SP000396284
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation137W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS P2
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IPB80P03P4L04ATMA1의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
경고
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기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS P2
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001