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IPB95R130PFD7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB95R130PFD7ATMA1
주문 코드4380639
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ Series
AKAIPB95R130PFD7, SP005547005
기술 데이터 시트
포장 옵션
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩10,165 |
| 10+ | ₩7,029 |
| 100+ | ₩5,257 |
| 500+ | ₩5,010 |
| 1000+ | ₩4,727 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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₩10,165
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPB95R130PFD7ATMA1
주문 코드4380639
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ Series
AKAIPB95R130PFD7, SP005547005
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id36.5A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36.5A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001