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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD053N06NATMA1
주문 코드2480816
AKAIPD053N06N, SP000962138
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0045ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IPD053N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00143