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IPD079N06L3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD079N06L3GBTMA1
주문 코드2432728RL
AKAIPD079N06L3 G, SP000453626
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0063ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
IPD079N06L3GBTMA1의 대체 제품
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제품 개요
The IPD079N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000998