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수량 | 가격 |
---|---|
5+ | ₩1,917 |
50+ | ₩1,707 |
100+ | ₩1,496 |
500+ | ₩1,009 |
1000+ | ₩847 |
2000+ | ₩805 |
5000+ | ₩763 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD35N10S3L26ATMA1
주문 코드2480829
AKAIPD35N10S3L-26, SP000386184
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
IPD35N10S3L26ATMA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IPD35N10S3L-26 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
애플리케이션
Power Management, Lighting, Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00143