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IPD50P04P413ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD50P04P413ATMA1
주문 코드2443398RL
AKAIPD50P04P4-13, SP000840204
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0092ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
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제품 개요
The IPD50P04P4-13 is a -40V P-channel Automotive MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Bridge configuration could be realized with 40V P-channel as high side device with no need of charge pump.
- Normal Level and enhancement mode
- AEC qualified
- Simple interface drive circuit
- Highest current capability
- Superior quality and reliability
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Automotive
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0092ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003