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IPD70N10S3L12ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,212 |
| 10+ | ₩2,311 |
| 100+ | ₩1,790 |
| 500+ | ₩1,494 |
| 1000+ | ₩1,471 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPD70N10S3L12ATMA1
주문 코드2443400
AKAIPD70N10S3L-12, SP000261250
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IPD70N10S3L12ATMA1의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IPD70N10S3L-12 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
애플리케이션
Lighting, Automotive, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003