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IPF024N10NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF024N10NF2SATMA1
주문 코드4134235RL
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005578916, IPF024N10NF2S
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPF024N10NF2SATMA1
주문 코드4134235RL
Product RangeStronglRFET Series
AKASP005578916, IPF024N10NF2S
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id227A
Drain Source On State Resistance0.0021ohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
227A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00175