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IPP220N25NFDAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 61 A, 0.022 ohm, TO-220, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP220N25NFDAKSA1
주문 코드2709869
Product RangeOptiMOS FD
AKAIPP220N25NFD, SP001108126
기술 데이터 시트
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP220N25NFDAKSA1
주문 코드2709869
Product RangeOptiMOS FD
AKAIPP220N25NFD, SP001108126
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS FD
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- 250V OptiMOS™ FD power transistor
- N-channel, normal level
- Fast diode(FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS FD
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002897