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IPP65R110CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP65R110CFD7XKSA1
주문 코드3665085
Product RangeCoolMOS CFD7 SJ
AKAIPP65R110CFD7, SP005413367
기술 데이터 시트
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 19주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,009 |
| 10+ | ₩3,288 |
| 100+ | ₩3,047 |
| 500+ | ₩2,863 |
| 1000+ | ₩2,679 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩6,009
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP65R110CFD7XKSA1
주문 코드3665085
Product RangeCoolMOS CFD7 SJ
AKAIPP65R110CFD7, SP005413367
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.087ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.087ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7 SJ
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001