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IPP80R1K4P7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Through Hole
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP80R1K4P7XKSA1
주문 코드2781184
Product RangeCoolMOS P7
AKAIPP80R1K4P7, SP001422718
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,533 |
| 10+ | ₩1,095 |
| 100+ | ₩1,077 |
| 500+ | ₩912 |
| 1000+ | ₩714 |
| 5000+ | ₩711 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPP80R1K4P7XKSA1
주문 코드2781184
Product RangeCoolMOS P7
AKAIPP80R1K4P7, SP001422718
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
IPP80R1K4P7XKSA1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000026