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IPT60R050G7XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 44 A, 0.043 ohm, HSOF, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT60R050G7XTMA1
주문 코드2983370
Product RangeCoolMOS G7
AKAIPT60R050G7, SP001615912
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPT60R050G7XTMA1
주문 코드2983370
Product RangeCoolMOS G7
AKAIPT60R050G7, SP001615912
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.043ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation245W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS G7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The IPT60R050G7XTMA1 is a 600V CoolMOS™G7 power transistor in 8 pin HSOF package. The C7GOLDCoolMOS™technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TOLL package to enable a possible SMD solution for high current topologies such as PFC up to 3KW.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- C7 gold technology enables best in class RDS(on) in smallest footprint
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
245W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
CoolMOS G7
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0006