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IPW50R140CPFKSA1
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IPW50R140CPFKSA1
주문 코드2480727
AKAIPW50R140CP, SP000234989
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IPW50R140CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability.
- Lowest figure of merit Ron x Qg
- Extreme dV/dt rate
- Ultra low RDS (ON), very fast switching
- Very low internal Rg
- High peak current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00443