페이지 인쇄
IRF3808PBF..
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF3808PBF..
주문 코드8657661
AKASP001563250
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
IRF3808PBF..의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRF3808PBF is a HEXFET® single N-channel advanced planar stripe Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175°C junction operating temperature, low junction-to-case, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00499