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IRF5210PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩4,290 |
| 10+ | ₩2,081 |
| 100+ | ₩2,037 |
| 500+ | ₩1,679 |
| 1000+ | ₩1,436 |
| 5000+ | ₩1,425 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF5210PBF
주문 코드1704021
AKASP001559642
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The IRF5210PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes advance processing techniques to achieve extremely low 0n-resistance per silicon area.
- Advanced Process Technology
- New Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
- Dynamic dv/dt Rating
- Fully Avalanche Rated
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00204