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IRF6717MTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF6717MTRPBF
주문 코드2781114
Product RangeHEXFET
AKASP001525458
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance1250µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation96W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
5Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001