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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF7329TRPBF
주문 코드2725899RL
Product RangeHEXFET Series
AKASP001566104
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.017ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.017ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
9.2A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.017ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.017ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074