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IRF8302MTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 190 A, 1400 µohm, WDSON, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRF8302MTRPBF
주문 코드3227660
Product RangeHEXFET
AKASP001555742
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StyleWDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation104W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
IRF8302MTRPBF의 대체 제품
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제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190A
Transistor Case Style
WDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
5Pins
Product Range
HEXFET
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003