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IRFB4127PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩7,535 |
| 10+ | ₩4,032 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFB4127PBF복사
제조업체 표준 리드 타임49주
주문 코드1688598
AKASP001560212
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001361