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IRFB4137PBF
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩6,009 |
| 10+ | ₩5,124 |
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| 500+ | ₩3,354 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFB4137PBF
주문 코드2580000
Product RangeHEXFET
AKASP001554580
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation341W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001