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IRFH4255DTRPBF
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 105 A, 0.0015 ohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFH4255DTRPBF
주문 코드2577195
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001575678
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFH4255DTRPBF
주문 코드2577195
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001575678
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel105A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor Case StyleQFN
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel38W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
Qualification-
IRFH4255DTRPBF의 대체 제품
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제품 개요
IRFH4255DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET suitable for control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package
- Low charge control MOSFET (10nC typical)
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>2.10mohm)
- Intrinsic schottky diode with low forward voltage on Q2
- Increased power density
- Lower conduction losses
- Environmentally friendlier
- Lower switching losses
- Increased reliability
- Dual PQFN 5.0038mm x 6.0198mm package
기술 사양
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
105A
Transistor Case Style
QFN
Power Dissipation N Channel
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
FastIRFET HEXFET Series
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001