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IRFHE4250DTRPBF
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 25 V, 303 A, 303 A, 700 µohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFHE4250DTRPBF
주문 코드2577175RL
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001564116
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFHE4250DTRPBF
주문 코드2577175RL
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001564116
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id303A
Continuous Drain Current Id N Channel303A
On Resistance Rds(on)700µohm
Continuous Drain Current Id P Channel303A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePQFN
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins32Pins
Power Dissipation N Channel156W
Power Dissipation P Channel156W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
303A
On Resistance Rds(on)
700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation Pd
156W
Power Dissipation N Channel
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
303A
Continuous Drain Current Id P Channel
303A
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
32Pins
Power Dissipation P Channel
156W
Product Range
FastIRFET HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001