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IRFS7540TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,629 |
| 10+ | ₩2,532 |
| 100+ | ₩1,688 |
| 500+ | ₩1,515 |
| 1000+ | ₩1,342 |
| 5000+ | ₩1,168 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFS7540TRLPBF
주문 코드2406528
AKASP001571690
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0051ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRFS7540TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00143