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IRFTS9342TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩920 |
| 10+ | ₩572 |
| 100+ | ₩308 |
| 500+ | ₩258 |
| 1000+ | ₩212 |
| 5000+ | ₩176 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFTS9342TRPBF
주문 코드2114660
AKASP001571652
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRFTS9342TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Industry standard pin-out
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
IRFTS9342TRPBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000033